Dual-gate Low noise Tetrode MOSFET RF transistors from Infineon, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 0.025 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 8 V, Maksymalne napięcie bramka-źródło = ±6 V, Typ opakowania = SOT-343, Typ montażu = Montaż powier