Dual-gate Low noise Tetrode MOSFET RF transistors from Infineon, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 0,03 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 12 V, Maksymalne napięcie progowe VGS = 2.5V, Minimalne napięcie progowe VGS = 0.8V, Maksymalne napię