Dual-gate Low noise Tetrode MOSFET RF transistors from Infineon, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 0,04 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 8 V, Maksymalne napięcie progowe VGS = 0.7V, Minimalne napięcie progowe VGS = 0.3V, Maksymalne napięc