Tranzystor MOSFET N-kanałowy BF999E6327 30 V 1,4 A 3-Pin SOT-23 SMD

  • Nr art.: K82659430
  • Producent: Infineon
  • Nr części producenta: BF999E6327

Opis produktu

Dual-gate Low noise Tetrode MOSFET RF transistors from Infineon, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 1,4 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V, Maksymalne napięcie progowe VGS = 1.5V, Minimalne napięcie progowe VGS = 0.8V, Maksymalne napięc

Pliki do pobrania

Wyślij zapytanie dot. produktu: ( K82659430 )

cookies Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.