Tranzystor bipolarny SiGe NPN 2,25 V 0,035 A 80 GHz HFE 150 SOT-343 BFP840ESDH6327XTSA1 4-Pin
- Nr art.: 826-8992
- Producent: Infineon
- Nr części producenta: BFP840ESDH6327XTSA1
A range of ultra-low-noise wideband NPN bipolar RF transistors from Infineon. These hetero-junction bipolar devices utilize Infineon’s silicon germanium carbon (SiGe:C) material technology and are especially suited for use mobile applications in which low
Zapytaj o produkt: handlowy@euroimpex.krakow.pl
Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.