/ / Tranzystor bipolarny SiGe NPN 2,25 V 0,035 A 80 GHz HFE 150 SOT-343 BFP840ESDH6327XTSA1 4-Pin
  • Po kodzie produktu
    • np. podkładka metalowa 3-4, złącze din43650
  • Po grupie produktów
  • Po producencie

Tranzystor bipolarny SiGe NPN 2,25 V 0,035 A 80 GHz HFE 150 SOT-343 BFP840ESDH6327XTSA1 4-Pin

  • Nr art.: K82658992
  • Producent: Infineon
  • Nr części producenta: BFP840ESDH6327XTSA1

Opis produktu

A range of ultra-low-noise wideband NPN bipolar RF transistors from Infineon. These hetero-junction bipolar devices utilize Infineon’s silicon germanium carbon (SiGe:C) material technology and are especially suited for use mobile applications in which low

Pliki do pobrania

Wyślij zapytanie dot. produktu: ( K82658992 )

cookies Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.