Dual-gate Low noise Tetrode MOSFET RF transistors from Infineon, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 0,025 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 8 V, Minimalne napięcie progowe VGS = 0.6V, Maksymalne napięcie bramka-źródło = 6 V, Typ opakowania