N-Channel enhancement mode power MOSFETs, - Low on-resistance. - Low noise. - Low switching loss, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 68 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.04 Ohms, Maksymalne napi