/ / Tranzystor IGBT GT50J342,Q(O, 0.38μs, Ic 80 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +175°C, Toshiba
  • Po kodzie produktu
    • np. podkładka metalowa 3-4, złącze din43650
  • Po grupie produktów
  • Po producencie

Tranzystor IGBT GT50J342,Q(O, 0.38μs, Ic 80 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +175°C, Toshiba

  • Nr art.: K89152740
  • Producent: Toshiba
  • Nr części producenta: GT50J342,Q(O

Opis produktu

IGBT, 600V/50A, TO3PN - Elementy dyskretne - Tranzystory IGBT

Pliki do pobrania

Wyślij zapytanie dot. produktu: ( K89152740 )

cookies Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.