/ / HGT1S10N120BNST, 1MHz, Ic 80 A, Uce 1200 V, 2+Tab-pinowy, TO-263AB, kanał typu N, -55 → +150°C Fairchild
  • Po kodzie produktu
    • np. podkładka metalowa 3-4, złącze din43650
  • Po grupie produktów
  • Po producencie

HGT1S10N120BNST, 1MHz, Ic 80 A, Uce 1200 V, 2+Tab-pinowy, TO-263AB, kanał typu N, -55 → +150°C Fairchild

  • Nr art.: K80756660
  • Producent: Fairchild Semiconductor
  • Nr części producenta: HGT1S10N120BNST

Opis produktu

IGBT, Fairchild, HGT1S10N120BNST - Elementy dyskretne - Tranzystory IGBT

Pliki do pobrania

Wyślij zapytanie dot. produktu: ( K80756660 )

cookies Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.