Tranzystor MOSFET N-kanałowy IRFM120ATF 100 V 2,3 A 3 + Tab-Pin SOT-223 SMD
- Nr art.: 807-8717
- Producent: Fairchild Semiconductor
- Nr części producenta: IRFM120ATF
Avalanche Rugged Technology. Rugged Gate Oxide Technology. Lower Input Capacitance. Improved Gate Charge, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,3 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,2 Ohms, Minimal
Zapytaj o produkt: handlowy@euroimpex.krakow.pl
Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.