/ / Tranzystor IGBT IRG8P60N120KD-EPBF, 1MHz, Ic 100 A, Uce 1200 V, 3-pinowy, TO-247AD, kanał typu N, -40 → +150°C
  • Po kodzie produktu
    • np. podkładka metalowa 3-4, złącze din43650
  • Po grupie produktów
  • Po producencie

Tranzystor IGBT IRG8P60N120KD-EPBF, 1MHz, Ic 100 A, Uce 1200 V, 3-pinowy, TO-247AD, kanał typu N, -40 → +150°C

  • Nr art.: K90754886
  • Producent: Infineon
  • Nr części producenta: IRG8P60N120KD-EPBF

Opis produktu

Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can sup

Pliki do pobrania

Wyślij zapytanie dot. produktu: ( K90754886 )

cookies Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.