/ / Tranzystor IGBT IXDN55N120D1, 1MHz, Ic 100 A, Uce 1200 V, 4-pinowy, SOT-227B, kanał typu N, -40 → +150°C, IXYS
  • Po kodzie produktu
    • np. podkładka metalowa 3-4, złącze din43650
  • Po grupie produktów
  • Po producencie

Tranzystor IGBT IXDN55N120D1, 1MHz, Ic 100 A, Uce 1200 V, 4-pinowy, SOT-227B, kanał typu N, -40 → +150°C, IXYS

  • Nr art.: K80457616
  • Producent: IXYS
  • Nr części producenta: IXDN55N120D1

Opis produktu

IGBT N-Ch 1200V 100A 2.3V Diode SOT227B - Elementy dyskretne - Tranzystory IGBT

Pliki do pobrania

Wyślij zapytanie dot. produktu: ( K80457616 )

cookies Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.