N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™), Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 70 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.08 Ohms, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5.5V, Maksymalne