Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFH110N10P 100 V 110 A 3-Pin TO-247

Nr art.: 193-492
Producent: IXYS
Nr części producenta: IXFH110N10P

Opis produktu

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 110 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,015 oma, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5V, M

Zapytaj o produkt: handlowy@euroimpex.krakow.pl