Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFH120N20P 200 V 120 A 3-Pin TO-247

Nr art.: 193-458
Producent: IXYS
Nr części producenta: IXFH120N20P

Opis produktu

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 200 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,022 oma, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5V, M

Zapytaj o produkt: handlowy@euroimpex.krakow.pl