Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFH16N50P 500 V 16 A 3-Pin TO-247

Nr art.: 194-524
Producent: IXYS
Nr części producenta: IXFH16N50P

Opis produktu

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 16 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 500 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,4 oma, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5.5V, Ma

Zapytaj o produkt: handlowy@euroimpex.krakow.pl