/ Produkty / Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFH170N10P 100 V 170 A 3-Pin TO-247

Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFH170N10P 100 V 170 A 3-Pin TO-247

  • Nr art.: 193-509
  • Producent: IXYS
  • Nr części producenta: IXFH170N10P
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFH170N10P 100 V 170 A 3-Pin TO-247

Opis produktu

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 170 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,009 oma, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5V, M

Zapytaj o produkt: handlowy@euroimpex.krakow.pl

cookies Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.