Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFH26N60P 600 V 26 A 3-Pin TO-247

Nr art.: 194-451
Producent: IXYS
Nr części producenta: IXFH26N60P

Opis produktu

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 26 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,27 oma, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5V, Mak

Zapytaj o produkt: handlowy@euroimpex.krakow.pl