Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFH36N60P 600 V 36 A 3-Pin TO-247

Nr art.: 194-467
Producent: IXYS
Nr części producenta: IXFH36N60P

Opis produktu

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 36 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.19 Ohms, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5V, Ma

Zapytaj o produkt: handlowy@euroimpex.krakow.pl