Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFH69N30P 300 V 69 A 3-Pin TO-247

Nr art.: 193-543
Producent: IXYS
Nr części producenta: IXFH69N30P

Opis produktu

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 69 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 300 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.049 Ohms, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5V, M

Zapytaj o produkt: handlowy@euroimpex.krakow.pl