Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFH88N30P 300 V 88 A 3-Pin TO-247

Nr art.: 193-559
Producent: IXYS
Nr części producenta: IXFH88N30P

Opis produktu

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 88 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 300 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,04 oma, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5V, Mak

Zapytaj o produkt: handlowy@euroimpex.krakow.pl