Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFH96N20P 200 V 96 A 3-Pin TO-247

Nr art.: 193-442
Producent: IXYS
Nr części producenta: IXFH96N20P

Opis produktu

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 96 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 200 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,024 oma, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5V, Ma

Zapytaj o produkt: handlowy@euroimpex.krakow.pl