Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFH96N20P 200 V 96 A 3-Pin TO-247

  • Nr art.: K1935442
  • Producent: IXYS
  • Nr części producenta: IXFH96N20P

Opis produktu

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 96 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 200 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,024 oma, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5V, Ma

Pliki do pobrania

Wyślij zapytanie dot. produktu: ( K1935442 )

cookies Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.