/ Produkty / Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFN102N30P 300 V 86 A 4-Pin SOT-227B Montaż na panelu

Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFN102N30P 300 V 86 A 4-Pin SOT-227B Montaż na panelu

  • Nr art.: 193-464
  • Producent: IXYS
  • Nr części producenta: IXFN102N30P
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFN102N30P 300 V 86 A 4-Pin SOT-227B Montaż na panelu

Opis produktu

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 86 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 300 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,033 oma, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5V, Ma

Zapytaj o produkt: handlowy@euroimpex.krakow.pl

cookies Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.