Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFN140N30P 300 V 115 A 4-Pin SOT-227B Montaż na panelu

Nr art.: 193-739
Producent: IXYS
Nr części producenta: IXFN140N30P

Opis produktu

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 115 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 300 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,024 oma, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5V, M

Zapytaj o produkt: handlowy@euroimpex.krakow.pl