Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFN180N15P 150 V 150 A 4-Pin SOT-227B Montaż na panelu

Nr art.: 194-259
Producent: IXYS
Nr części producenta: IXFN180N15P

Opis produktu

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 150 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,011 oma, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5V, M

Zapytaj o produkt: handlowy@euroimpex.krakow.pl