Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFN48N60P 600 V 40 A 4-Pin SOT-227B Montaż na panelu
- Nr art.: 194-473
- Producent: IXYS
- Nr części producenta: IXFN48N60P
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 40 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,14 oma, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5.5V, M
Zapytaj o produkt: handlowy@euroimpex.krakow.pl