/ Produkty / Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFN60N80P 800 V 53 A 4-Pin SOT-227B Montaż na panelu

Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFN60N80P 800 V 53 A 4-Pin SOT-227B Montaż na panelu

  • Nr art.: 194-350
  • Producent: IXYS
  • Nr części producenta: IXFN60N80P
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFN60N80P 800 V 53 A 4-Pin SOT-227B Montaż na panelu

Opis produktu

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 53 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,14 oma, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5V, Mak

Zapytaj o produkt: handlowy@euroimpex.krakow.pl

cookies Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.