Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFN64N50P 500 V 61 A 4-Pin SOT-227B Montaż na panelu

Nr art.: 194-568
Producent: IXYS
Nr części producenta: IXFN64N50P

Opis produktu

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 61 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 500 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,085 oma, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5.5V,

Zapytaj o produkt: handlowy@euroimpex.krakow.pl