/ Produkty / Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFN80N50P 500 V 66 A 4-Pin SOT-227B Montaż na panelu

Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFN80N50P 500 V 66 A 4-Pin SOT-227B Montaż na panelu

  • Nr art.: 194-029
  • Producent: IXYS
  • Nr części producenta: IXFN80N50P
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFN80N50P 500 V 66 A 4-Pin SOT-227B Montaż na panelu

Opis produktu

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 66 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 500 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,065 oma, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5V, Ma

Zapytaj o produkt: handlowy@euroimpex.krakow.pl

cookies Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.