/ Produkty / Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFN82N60P 600 V 72 A 4-Pin SOT-227B Montaż na panelu

Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFN82N60P 600 V 72 A 4-Pin SOT-227B Montaż na panelu

  • Nr art.: 194-130
  • Producent: IXYS
  • Nr części producenta: IXFN82N60P
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFN82N60P 600 V 72 A 4-Pin SOT-227B Montaż na panelu

Opis produktu

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 72 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,075 oma, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5V, Ma

Zapytaj o produkt: handlowy@euroimpex.krakow.pl

cookies Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.