Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFP10N60P 600 V 10 A 3-Pin TO-220

Nr art.: 194-502
Producent: IXYS
Nr części producenta: IXFP10N60P

Opis produktu

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 10 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,74 oma, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5.5V, M

Zapytaj o produkt: handlowy@euroimpex.krakow.pl