Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFP10N80P 800 V 10 A 3-Pin TO-220
- Nr art.: 194-057
- Producent: IXYS
- Nr części producenta: IXFP10N80P
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 10 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 1,1 oma, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5.5V, Ma
Zapytaj o produkt: handlowy@euroimpex.krakow.pl
Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.