Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFP12N50P 500 V 12 A 3-Pin TO-220
- Nr art.: 194-619
- Producent: IXYS
- Nr części producenta: IXFP12N50P
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 12 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 500 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,5 oma, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5.5V, Ma
Zapytaj o produkt: handlowy@euroimpex.krakow.pl
Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.