Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFP7N80P 800 V 7 A 3-Pin TO-220

Nr art.: 194-136
Producent: IXYS
Nr części producenta: IXFP7N80P

Opis produktu

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 7 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 1,44 oma, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5V, Maks

Zapytaj o produkt: handlowy@euroimpex.krakow.pl