Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFR32N80P 800 V 20 A 3-Pin ISOPLUS247

Nr art.: 193-470
Producent: IXYS
Nr części producenta: IXFR32N80P

Opis produktu

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,29 oma, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5V, Mak

Zapytaj o produkt: handlowy@euroimpex.krakow.pl