Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFR64N60P 600 V 36 A 3-Pin ISOPLUS247

Nr art.: 194-489
Producent: IXYS
Nr części producenta: IXFR64N60P

Opis produktu

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 36 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,105 oma, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5V, Ma

Zapytaj o produkt: handlowy@euroimpex.krakow.pl