Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXTP36N30P 300 V 36 A 3-Pin TO-220

Nr art.: 193-622
Producent: IXYS
Nr części producenta: IXTP36N30P

Opis produktu

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 36 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 300 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.11 Ohms, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5.5V,

Zapytaj o produkt: handlowy@euroimpex.krakow.pl