Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXTP50N20P 200 V 50 A 3-Pin TO-220

  • Nr art.: K92050717
  • Producent: IXYS
  • Nr części producenta: IXTP50N20P

Opis produktu

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 200 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,06Ohms, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5.5V, M

Pliki do pobrania

Wyślij zapytanie dot. produktu: ( K92050717 )

cookies Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.