Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXTP50N20P 200 V 50 A 3-Pin TO-220

Nr art.: 193-420
Producent: IXYS
Nr części producenta: IXTP50N20P

Opis produktu

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 200 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,06 oma, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5.5V, M

Zapytaj o produkt: handlowy@euroimpex.krakow.pl