Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXTP7N60P 600 V 7 A 3-Pin TO-220

Nr art.: 194-506
Producent: IXYS
Nr części producenta: IXTP7N60P

Opis produktu

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 7 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 1.1 Ohms, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5.5V, Ma

Zapytaj o produkt: handlowy@euroimpex.krakow.pl