Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXTP7N60P 600 V 7 A 3-Pin TO-220

  • Nr art.: K1945506
  • Producent: IXYS
  • Nr części producenta: IXTP7N60P

Opis produktu

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 7 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 1.1 Ohms, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5.5V, Ma

Pliki do pobrania

Wyślij zapytanie dot. produktu: ( K1945506 )

cookies Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.