High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance., Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 2 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 4,5 Ohms, Maksymalne napięcie p