High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance., Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 10 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 660 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,7 oma, Maksymalne napięcie p