/ / Tranzystor IGBT NGB8207ABNT4G, Ic 50 A, Uce 365 V, 4-pinowy, D2PAK, kanał typu N, -55 → +175°C, ON Semiconductor
  • Po kodzie produktu
    • np. podkładka metalowa 3-4, złącze din43650
  • Po grupie produktów
  • Po producencie

Tranzystor IGBT NGB8207ABNT4G, Ic 50 A, Uce 365 V, 4-pinowy, D2PAK, kanał typu N, -55 → +175°C, ON Semiconductor

  • Nr art.: K80551753
  • Producent: ON Semiconductor
  • Nr części producenta: NGB8207ABNT4G

Opis produktu

NGB8207ABNT4G, IGNITION IGBT 20 A 365 V - Elementy dyskretne - Tranzystory IGBT

Pliki do pobrania

Wyślij zapytanie dot. produktu: ( K80551753 )

cookies Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.