/ / Tranzystor IGBT NGTB10N60R2DT4G, 1MHz, Ic 20 A, Uce 600 V, 3-pinowy, DPAK, kanał typu N, Maks. +175°C, ON Semiconductor
  • Po kodzie produktu
    • np. podkładka metalowa 3-4, złącze din43650
  • Po grupie produktów
  • Po producencie

Tranzystor IGBT NGTB10N60R2DT4G, 1MHz, Ic 20 A, Uce 600 V, 3-pinowy, DPAK, kanał typu N, Maks. +175°C, ON Semiconductor

  • Nr art.: K88259809
  • Producent: ON Semiconductor
  • Nr części producenta: NGTB10N60R2DT4G

Opis produktu

IGBT N-Ch 600V 10A DPAK3 - Elementy dyskretne - Tranzystory IGBT

Pliki do pobrania

Wyślij zapytanie dot. produktu: ( K88259809 )

cookies Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.