/ / Tranzystor IGBT NGTB30N120IHRWG, 1MHz, Ic 60 A, Uce 1200 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -40 → +175°C
  • Po kodzie produktu
    • np. podkładka metalowa 3-4, złącze din43650
  • Po grupie produktów
  • Po producencie

Tranzystor IGBT NGTB30N120IHRWG, 1MHz, Ic 60 A, Uce 1200 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -40 → +175°C

  • Nr art.: K79651331
  • Producent: ON Semiconductor
  • Nr części producenta: NGTB30N120IHRWG

Opis produktu

IGBT 1200V 30A Field Stop, Diode TO247 - Elementy dyskretne - Tranzystory IGBT

Pliki do pobrania

Wyślij zapytanie dot. produktu: ( K79651331 )

cookies Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.