/ / Dopasowana para tranzystorów bipolarnych podwójny PNP 65 V 0,1 A 100 MHz HFE 220 SOT-363 NST65010MW6T1G 6-Pin
  • Po kodzie produktu
    • np. podkładka metalowa 3-4, złącze din43650
  • Po grupie produktów
  • Po producencie

Dopasowana para tranzystorów bipolarnych podwójny PNP 65 V 0,1 A 100 MHz HFE 220 SOT-363 NST65010MW6T1G 6-Pin

  • Nr art.: K92059887
  • Producent: ON Semiconductor
  • Nr części producenta: NST65010MW6T1G

Opis produktu

Pairs of NPN or PNP bipolar transistors in a single package matched for Base-Emitter voltage (VBE) and Current Gain (hFE)., Typ tranzystora = PNP, Maksymalny prąd DC kolektora = 0,1 A, Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 65 V, Typ opakowania = SOT-363,

Pliki do pobrania

Wyślij zapytanie dot. produktu: ( K92059887 )

cookies Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.