/ / Tranzystor bipolarny niskonasyceniowy PNP 100 V 1 A 100 MHz HFE 125 TO-236AB PBSS9110T,215 3-Pin
  • Po kodzie produktu
    • np. podkładka metalowa 3-4, złącze din43650
  • Po grupie produktów
  • Po producencie

Tranzystor bipolarny niskonasyceniowy PNP 100 V 1 A 100 MHz HFE 125 TO-236AB PBSS9110T,215 3-Pin

  • Nr art.: K51852135
  • Producent: NXP
  • Nr części producenta: PBSS9110T,215

Opis produktu

A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The re

Pliki do pobrania

Wyślij zapytanie dot. produktu: ( K51852135 )

cookies Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.