The total capacitive charge is small, reducing switching loss, enabling high-speed switching operation for the Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes., Konfiguracja diody = Pojedyncza, Maksymalny ciągły prąd przewodzenia = 8A, Liczba elementów na u
Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.