Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy SiHB33N60EF-GE3 600 V 33 A 2+Tab-Pin TO-263 SMD
- Nr art.: 903-4481
- Producent: Vishay
- Nr części producenta: SiHB33N60EF-GE3
Reduced Reverse Recovery Time, Reverse Recovery Charge, and Reverse Recovery Current. Low figure-of-merit (FOM). Low input capacitance (Ciss). Increased robustness due to low Reverse Recovery Charge. Ultra low gate charge (Qg), Typ kanału = N, Maksymalny
Zapytaj o produkt: handlowy@euroimpex.krakow.pl
Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.