/ / Moduł IGBT SKM100GB125DN, Ic 100 A, Uce 1200 V, 7-pinowy, kanał typu:N, -40 → +150°C, SEMITRANS2
  • Po kodzie produktu
    • np. podkładka metalowa 3-4, złącze din43650
  • Po grupie produktów
  • Po producencie

Moduł IGBT SKM100GB125DN, Ic 100 A, Uce 1200 V, 7-pinowy, kanał typu:N, -40 → +150°C, SEMITRANS2

  • Nr art.: K46852410
  • Producent: Semikron
  • Nr części producenta: SKM100GB125DN

Opis produktu

SEMIKRON offers IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) modules in SEMITRANS and SEMITOP packages in different topologies, current and voltage ratings., Konfiguracja = Podwójny półmostek, Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A, Maksymalne napięcie kole

Pliki do pobrania

Wyślij zapytanie dot. produktu: ( K46852410 )

cookies Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.