/ / Tranzystor IGBT STGW80H65DFB, Ic 120 A, Uce 650 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -55 → +175°C
  • Po kodzie produktu
    • np. podkładka metalowa 3-4, złącze din43650
  • Po grupie produktów
  • Po producencie

Tranzystor IGBT STGW80H65DFB, Ic 120 A, Uce 650 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -55 → +175°C

  • Nr art.: K79255814
  • Producent: STMicroelectronics
  • Nr części producenta: STGW80H65DFB

Opis produktu

IGBT N-Ch 650V 80A High-Speed TO247 - Elementy dyskretne - Tranzystory IGBT

Pliki do pobrania

Wyślij zapytanie dot. produktu: ( K79255814 )

cookies Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.